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SISS27DN-T1-GE3

30V P-Channel MOSFET

ZHAOXINGWEI

Zhaoxingwei Electronics ., Ltd

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SISS27DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性:

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    30 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    +/- 20 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    50 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    5.6 mOhms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerPAK 1212-8

  • 封裝:

    Reel

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更多SISS27DN-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2024-10-28 11:04:00