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SIS413DN-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIS413DN-T1-GE3
廠商型號

SIS413DN-T1-GE3

功能描述

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件大小

547.03 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-10-28 14:28:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SIS413DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性:

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    30 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    +/- 20 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    18 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    9.4 mOhms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerPAK 1212-8

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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