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SIR774DP-T1-GE3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

SIR774DP-T1-GE3
廠(chǎng)商型號(hào)

SIR774DP-T1-GE3

參數(shù)屬性

SIR774DP-T1-GE3 包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 30V

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
MOSFET N-CH 30V

文件大小

133.55 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Vishay威世科技

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 11:26:00

SIR774DP-T1-GE3規(guī)格書(shū)詳情

SIR774DP-T1-GE3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的SIR774DP-T1-GE3晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類(lèi)晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SIR774DP-T1-GE3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 系列:

    SkyFET?, TrenchFET?

  • 包裝:

    管件

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    32A(Ta),40A(Tc)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 描述:

    MOSFET N-CH 30V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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