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SIR510DP-T1-RE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIR510DP-T1-RE3
廠商型號(hào)

SIR510DP-T1-RE3

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件大小

265.73 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-10-25 21:12:00

SIR510DP-T1-RE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen V power MOSFET

? Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

? Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? Primary side switch

? DC/DC converters

? OR-ing and hot swap switch

? Power supplies

? Motor drive control

? Battery management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Vishay Siliconix
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PowerPAK? SO-8
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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