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SIHG47N60E-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIHG47N60E-GE3
廠商型號

SIHG47N60E-GE3
功能描述

E Series Power MOSFET
文件大小

218.87 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-9 10:10:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    SIHG47N60E-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VISHAY/威世
21+
TO247
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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VISHAY(威世)
23+
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7810
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