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SIHF6N65E

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF6N65E

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHF6N65E

Reduced switching and conduction losses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF6N65E_V01

E Series Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHJ6N65E

ESeriesPowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHJ6N65E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP6N65E

ESeriesPowerMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP6N65E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHU6N65E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

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ESeriesPowerMOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIHF6N65E

  • 功能描述：

    MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    7 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.6 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
vishay原裝
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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2048+
TO-220F
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更多SIHF6N65E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-28 16:49:00

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