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SIHB33N60E-GE3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

SIHB33N60E-GE3
廠商型號

SIHB33N60E-GE3

參數(shù)屬性

SIHB33N60E-GE3 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK

功能描述

E Series Power MOSFET

文件大小

226.49 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-1 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SIHB33N60E-GE3

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V D2PAK

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