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SIGC109T120R3L 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
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原廠料號:SIGC109T120R3L品牌:INFINEON
只做原裝現(xiàn)貨
SIGC109T120R3L是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝1/模具的SIGC109T120R3L晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
SIGC109T120R3LEX1SA2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,100A
- 輸入類型:
標準
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應(yīng)商器件封裝:
模具
- 描述:
IGBT 1200V 100A DIE
供應(yīng)商
相近型號
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