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SIDR610DP	文件：203.38 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIDR610DP_V01	文件：230.49 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIDR610DP-T1-GE3	文件：203.38 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIDR610DP-T1-GE3	文件：230.49 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIDR610EP	文件：184.1 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)175°CMOSFET FEATURES ?TrenchFET?technologyoptimizesbalanceof RDS(on),Qg,Qsw,andQoss ?TunedforthelowestRDS-QossFOM ?Topsidecoolingfeatureprovidesadditional venueforthermaltransfer ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF610	文件：594.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHF610	文件：282.85 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHF610L	文件：182.71 Kbytes Page：8 Pages	Surfacemount DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itpro	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF610L	文件：248.98 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHF610S	文件：182.71 Kbytes Page：8 Pages	Surfacemount DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itpro	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF610S	文件：248.98 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIR610DP	文件：416.2 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SK610	文件：412.41 Kbytes Page：3 Pages	6AmpSchottkyRectifier20to100Volts Features ·ForSurfaceMountApplications ·ExtremelyLowThermalResistance ·EasyPickAndPlace ·HighTempSoldering:250°Cfor10SecondsAtTerminals ·HighCurrentCapabilityWithLowForwardVoltage	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SK610	文件：607.59 Kbytes Page：5 Pages	6AmpSchottkyRectifier20to100Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SK610	文件：387.603 Kbytes Page：2 Pages	6A100VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
SK610B	文件：391.607 Kbytes Page：2 Pages	6A100VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
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SK610C	文件：158.39 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰實(shí)業(yè)有限公司	PACELEADER
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更多SIDR610DP供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 15:00:00

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