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SIC620R	文件：322.71 Kbytes Page：18 Pages	60 A VRPower Integrated Power Stage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIC620R	文件：297.4 Kbytes Page：19 Pages	60 A VRPower? Integrated Power Stage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIC620R_V01	文件：297.4 Kbytes Page：19 Pages	60 A VRPower? Integrated Power Stage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiC620RCD-T1-GE3	文件：322.71 Kbytes Page：18 Pages	60 A VRPower Integrated Power Stage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SiC620RDB	文件：322.71 Kbytes Page：18 Pages	60 A VRPower Integrated Power Stage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIC620RDB/SIC620ARDB	文件：297.4 Kbytes Page：19 Pages	60 A VRPower? Integrated Power Stage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIC620RCD-T1-GE3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：PowerPAK? MLP55-31L 類別：集成電路（IC）全半橋驅(qū)動(dòng)器描述：IC CTLR STAGE 60A 5V PWM PPAK	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIH620	文件：107.31 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
SIHF620	文件：1.59241 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF620	文件：107.31 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50W.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220ABcontributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. FEATURES ?DynamicdV/dtRating	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
SIHF620	文件：107.31 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
SIHF620S	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF620S	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	VishaySiliconix DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF620S	文件：217.5 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Simpledriverequirements ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFI620G	文件：1.76729 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHL620	文件：2.03127 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.80 Qg(Max.)(nC)16 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)9.6 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHL620	文件：2.20214 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHL620	文件：2.20053 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHL620S	文件：1.47104 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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更多SIC620R供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-1 15:17:00

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