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SIB800EDK-T1-GE3

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SIB800EDK-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 1.5A 3.1W 225mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
23+
QFN
12000
全新原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
Vishay/Siliconix
24+
SC-70-6
7500
詢價
VISHAY
23+
QFN
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
 詢價
VISHAY
19+
QFN
20000
5900
 詢價
VISHAY
23+
QFN
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
vishay
20+
na
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
VISHAY
2020+
QFN
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
只做原裝
24+
QFN
36520
一級代理/放心采購
 詢價
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VISHAY
1503+
SC-75-6
3000
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 詢價
更多SIB800EDK-T1-GE3供應商 更新時間2025-1-31 14:03:00

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