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SIA406DJ-T1-GE3

N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?NewThermallyEnhancedPowerPAK?SC-70Package ???-SmallFootprintArea ???-LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitchforPortableDe

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SIA406DJ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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更多SIA406DJ-T1-GE3供應商 更新時間2024-10-23 11:30:00