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SI8812DB-T2-E1

VISHAY
4-BGA

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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Vishay Siliconix
4-Microfoot

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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VISHAY
4-BGA

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威世威世(VISHAY)集團

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VISHAY
4-BGA

BARRY

Vishay Barry

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Vishay Siliconix
4-UFBGA

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    SI8812DB-T2-E1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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