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SI7252DP-T1-GE3

Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Primarysideswitching ?Synchronousrectification ?DC/ACinverters

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI7252DP-T1-GE3

Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI7252DP-T1-GE3

Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI7252DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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更多SI7252DP-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-1-15 11:09:00

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