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SI5517DU-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
SI5517DU-T1-GE3規(guī)格書詳情
FEATURES
? TrenchFET? power MOSFETs
? Thermally enhanced PowerPAK ChipFET
package
- Small footprint area
- Low on-resistance
- Thin 0.8 mm profile
? Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
? Complementary MOSFET
for portable devices
- Ideal for buck-boost
circuits
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI5517DU-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
SOT23 |
893993 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
21+ |
SMD |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
20+ |
SOT23 |
8767 |
全新原裝公司現(xiàn)貨
|
詢價(jià) | ||
VISHAY |
22+23+ |
SMD |
21057 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SILI |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
VISHAY/威世 |
24+ |
SMD |
7671 |
原裝正品.優(yōu)勢(shì)專營(yíng) |
詢價(jià) | ||
VISHAY(威世) |
23+ |
PowerPAK |
9908 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
SOT23 |
16500 |
假一賠百原裝正品價(jià)格優(yōu)勢(shì)實(shí)單可談 |
詢價(jià) |
