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SI4940DY-T1-E3

Dual N-Channel Advanced Power MOSFET

Features VDS=60V,ID=5A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

SI4940DY-T1-E3

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI4940DY-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 40V 5.7A 2.1W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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SOP8
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更多SI4940DY-T1-E3供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 8:21:00

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