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SI4835DDY	文件：1.72624 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
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SI4835DDY_17	文件：177.49 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4835DDY_V01	文件：198.92 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SI4835DDY-T1-GE3	文件：198.92 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4835DY	文件：79.66 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSG4835P	文件：619.9 Kbytes Page：4 Pages	P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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SSG4835PR-C	文件：334.24 Kbytes Page：4 Pages	P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSM4835M	文件：164.13 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SI4835DDY
功能描述：
MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多SI4835DDY供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-26 9:33:00

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