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SI4818DY	文件：139.2 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LITTLEFOOT?Plus ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4818DY	文件：68.91 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4818DY_V01	文件：139.2 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LITTLEFOOT?Plus ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI4818DY-T1	文件：68.91 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
4818	文件：232.25 Kbytes Page：2 Pages	NYLONM/FHEXSTANDOFF [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
4818P	文件：374.56 Kbytes Page：3 Pages	4800PSeries-ThickFilmSurfaceMountedMediumBody	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
4818P	文件：364.21 Kbytes Page：3 Pages	4800PSeries-ThickFilmSurfaceMountedMediumBody	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
4818P	文件：366.75 Kbytes Page：2 Pages	ThickFilmSurfaceMountedMediumBodyTapeandreelpackagingstandard Features ■RoHScompliant*(seeHowtoOrder“Termination”option) ■StandardE.I.A.packagecompatiblewithautomaticplacementequipment ■Tapeandreelpackagingstandard ■Customcircuitsareavailable ■Compliantleadstoreducesolderjointfatiguing ■Standardelectricalschematics:i	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
4818P	文件：364.21 Kbytes Page：3 Pages	4800PSeries-ThickFilmSurfaceMountedMediumBody	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
4818P	文件：364.21 Kbytes Page：3 Pages	4800PSeries-ThickFilmSurfaceMountedMediumBody Features ■RoHScompliant*(seeHowtoOrder“Termination”option) ■StandardE.I.A.packagecompatiblewithautomaticplacementequipment ■Tapeandreelpackagingstandard ■Customcircuitsareavailable ■AEC-Q200qualified ■Compliantleadstoreducesolderjointfatiguing ■Standardel	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
4818PLF	文件：133.39 Kbytes Page：2 Pages	Networks	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
4818T-L	文件：29 Kbytes Page：2 Pages	ResistorNetwork	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
ACTF4818	文件：126.99 Kbytes Page：5 Pages	onechannelIFfilterforreceiversofsatellitebroadcastingsystem.	ACT Advanced Crystal Technology	ACT
ACTF4818	文件：197.41 Kbytes Page：5 Pages	IFfilter	ACT Advanced Crystal Technology	ACT
AO4818	文件：212.96 Kbytes Page：6 Pages	30VDualN-channelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO4818	文件：204.73 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4818usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4818isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4818LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO4818	文件：1.46103 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO4818	文件：1.03596 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?NotebookSystemPower ?LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO4818B	文件：1.048319 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?NotebookSystemPower ?LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO4818B	文件：304.87 Kbytes Page：6 Pages	30VDualN-channelMOSFET GeneralDescription TheAO4818BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)8A	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
SI4818DY
功能描述：
MOSFET 30V 6.3/9.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市得捷芯城科技有限公司	SI4818DY	Vishay(威世)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	12548	原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期	詢價(jià)
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更多SI4818DY供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 17:48:00

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