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SI4688DY-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
SI4688DY-T1-GE3 |
| 功能描述 | N-Channel 20V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
1.00768 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-26 20:41:00 |
| 人工找貨 | SI4688DY-T1-GE3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SI4688DY-T1-GE3規(guī)格書(shū)詳情
FEATURES
? Halogen-free
? TrenchFET? Power MOSFET
? Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation
? 100 Rg Tested
? 100 UIS Tested
APPLICATIONS
? Notebook CPU Core
- High-Side Switch
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI4688DY-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
vishay |
20+ |
na |
65790 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠(chǎng)直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
20+ |
SOP-8 |
3522 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOP8 |
502491 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
SOP |
2796 |
原廠(chǎng)原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
VBsemi/臺(tái)灣微碧 |
SO-8 |
36930 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢(xún)價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOP-8 |
18000 |
假一賠百原裝正品價(jià)格優(yōu)勢(shì)實(shí)單可談 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
8-SOIC |
6680 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOIC-8 |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
Vishay/Siliconix |
24+ |
SO-8 |
7500 |
詢(xún)價(jià) |
