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SI4511DY-T1-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
SI4511DY-T1-E3規(guī)格書詳情
FEATURES
● TrenchFET Power MOSFET
APPLICATIONS
● Level Shift
● Load Switch
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
SI4511DY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET +20/-20V +9.6/-6.2A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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VISHY |
23+ |
SOP8 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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VISHAY |
23+ |
SOP8 |
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VISHY |
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VISHAY |
23+ |
SOP8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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SI4511DY-T1-E3 |
1861 |
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詢價(jià) | ||||
VISHAY |
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SOP8 |
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全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百! |
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VISHAY/威世 |
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SOIC-8 |
25000 |
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