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SI4420DYPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI4420DYPBF
廠商型號(hào)

SI4420DYPBF
功能描述

HEXFETPower MOSFET
文件大小

119.92 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-13 22:36:00
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SI4420DYPBF規(guī)格書詳情

Description

This N-channel HEXFET? power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low on-resistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications.

The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced thermal characteristics that allow power dissipation of greater that 800mW in typical board mount applications.

● N-Channel MOSFET

● Low On-Resistance

● Low Gate Charge

● Surface Mount

● Logic Level Drive

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SI4420DYPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
16+
SOP-8
9690
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
VISHAY
20+
SOP-8
43000
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)
IR
23+
SOP8
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
IR
23+
SOP-8
5000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
24+
SOP-8
65300
一級(jí)代理/放心購(gòu)買!
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
SOP-8
7860
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
IR
21+
SOP-8
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
Infineon Technologies
22+
8SOIC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IR
24+
58900
詢價(jià)

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