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SI3445DV-T1-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
SI3445DV-T1-E3規(guī)格書(shū)詳情
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
???
TrenchFET? Power MOSFETs 1.8-V Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI3445DV-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 8V 5.6A 2W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
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TSOP-6 |
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