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SI2323DDS-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI2323DDS-T1-GE3
廠商型號

SI2323DDS-T1-GE3

功能描述

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.04793 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-18 11:27:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI2323DDS-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性:

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    20 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    +/- 8V

  • 漏極連續(xù)電流:

    5.3 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    39 mOhms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOT-23-3

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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