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SGSD310	文件：293.36 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE, HIGH POWER, FAST SWITCHING	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
SH310BF	文件：444.56 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
SIFU310	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFD310	文件：1.25725 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)400 RDS(on)(Ω)VGS=10V3.6 Qg(Max.)(nC)17 Qgs(nC)3.4 Qgd(nC)8.5 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR310	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR310	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR310	文件：3.93235 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR310	文件：1.07622 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SIHFR310	文件：332.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SIHFR310	文件：835 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR310,SiHFR310) ?Straightlead(IRFU310,SiHFU310) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR310T	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR310T	文件：1.07628 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SIHFR310TA	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR310TL	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFR310TL	文件：1.07632 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SIHFR310TLA	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFU310	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFU310	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFU310	文件：3.93235 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFU310	文件：340.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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晶體管資料

型號：
SGSD310
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產廠家：
制作材料：
Si-N+Darl
性質：
功率放大（L）_開關管（S）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
600V
最大電流允許值：
28A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BUT13,BUT14,
最大耗散功率：
150W
放大倍數(shù)：
β>30
圖片代號：
B-70
vtest：
600
htest：
999900
atest：
28
wtest：
150

詳細參數(shù)

型號：
SGSD310
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全稱：
STMicroelectronics
功能描述：
HIGH VOLTAGE, HIGH POWER, FAST SWITCHING

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市國宇半導體科技有限公司	SGSD310	FAIRCHILD/仙童	23+	TO	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SGSD310	FAIRCHILD/仙童	22+	TO	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市賽特興科技有限公司	SGSD310	ST	23+	TO-218	16900	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	SGSD310	FAIRCHILD/仙童	22+	TO	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
中科航電（深圳）電子集團有限公司	SGSD310	ST		TO-218	36900	集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價
深圳市星佑電子有限公司	SGSD310	ST	22+	TO-218	16900	支持樣品原裝現(xiàn)貨提供技術支持!	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SGSD310	FAIRCHILD/仙童	22+	TO	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	SGSD310	仙童	24+	TO	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經營免費試樣正品保證	詢價
深圳市一線半導體有限公司	SGSD311		24+		8866		詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SGSD311	ST/意法	23+	TO-218	11200	原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價

更多SGSD310供應商更新時間2024-10-26 10:05:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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