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SGS5N60RUFDTU_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：SGS5N60RUFDTU品牌：onsemi

資料說(shuō)明：IGBT 600V 8A 35W TO220F

SGS5N60RUFDTU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-220-3 整包的SGS5N60RUFDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    sgs5n60rufdtu

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V 8A 35W TO220F

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGS5N60RUFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    88μJ（開(kāi)），107μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    13ns/34ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，5A，40 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F-3

  • 描述：

    IGBT 600V 8A 35W TO220F

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FSC/ON
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原包裝原封 □□
2720
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220F
10000
公司只做原裝正品
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22+
TO220F
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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ON Semiconductor
2022+
TO-220F
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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22+
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25000
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FAIRCHILD/仙童
22+
TO-220F
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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Fairchild/ON
23+
TO220F
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78000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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