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SGR15N40LTM	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 400V 45W DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
15N40	文件：220.24 Kbytes Page：6 Pages	15A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N40isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalan	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
15N40K-MT	文件：211.09 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
DAM15N40S	文件：256.149 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FDP15N40	文件：256.209 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET400V,15A,0.3廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP15N40	文件：331.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDP15N40	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF15N40	文件：322.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDPF15N40	文件：256.209 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET400V,15A,0.3廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGR15N40A	文件：118.99 Kbytes Page：6 Pages	StrobeFlashN-ChannelLogicLevelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGS15N40L	文件：204.72 Kbytes Page：6 Pages	ElectricalCharacteristicsofIGBT GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features ?HighInputImpedance ?H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGS15N40L	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	HighInputImpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features ?HighInputImpedance ?H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGS15N40LTF	文件：210.2 Kbytes Page：6 Pages	HighInputImpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductanceandswitchingtoplanargatestructureandalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesarewellsuitableforstrobeapplication Features ?HighInputImpedance ?H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGW15N40A	文件：112.29 Kbytes Page：6 Pages	StrobeFlashN-ChannelLogicLevelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MGB15N40CL	文件：81.32 Kbytes Page：12 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410Volts InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGB15N40CL	文件：91.6 Kbytes Page：10 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGC15N40CL	文件：100.36 Kbytes Page：8 Pages	InternallyClampedN-ChannelIGBT InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGP15N40CL	文件：91.6 Kbytes Page：10 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGP15N40CL	文件：81.32 Kbytes Page：12 Pages	IgnitionIGBT15Amps,410Volts InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGP15N40CL	文件：100.36 Kbytes Page：8 Pages	InternallyClampedN-ChannelIGBT InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
SGR15N40LTM
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝道
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
8V @ 4.5V，130A
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：
TO-252AA
描述：
IGBT 400V 45W DPAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市正邁科技有限公司	SGR15N40LTM	FSC/ON	23+	原包裝原封 □□	765	原裝進(jìn)口特價供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢庫存	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	SGR15N40LTM	FAIRCHILD仙童	23+	DPAK	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SGR15N40LTM	Fairchild/ON	22+	DPak	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	SGR15N40LTM	ON Semiconductor	2022+	D-Pak	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	SGR15N40LTM	Fairchild仙童	22+	DPAK	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SGR15N40LTM	Fairchild仙童	22+	DPAK	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SGR15N40LTM	Fairchild/ON	23+	DPak	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	SGR15N40LTM	Fairchild仙童	24+	DPAK	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
萬三科技(深圳)有限公司	SGR1845F-EV	微芯/美高森美	22+	NA	500000	萬三科技,秉承原裝,購芯無憂	詢價
深圳市實中創(chuàng)科技有限公司	SGR1E101ME110B25SE0	Surge	23+	TO-18	12800	原裝正品代理商最優(yōu)惠價格,現(xiàn)貨或訂貨	詢價

更多SGR15N40LTM供應(yīng)商更新時間2025-1-15 9:12:00

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