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SGP10N60RUFDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 16A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SGS10N60	文件：564.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswher	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGS10N60	文件：619.1 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGS10N60RUF	文件：564.62 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswher	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGS10N60RUFD	文件：619.1 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGW10N60	文件：401.72 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW10N60	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW10N60A	文件：353.85 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW10N60A	文件：401.72 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW10N60RUF	文件：541.97 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SGW10N60RUFD	文件：596.68 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SIF10N60C	文件：419.26 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導體深圳深愛半導體股份有限公司	SISEMIC
SIHJ10N60E	文件：156.43 Kbytes Page：7 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SKB10N60	文件：319.38 Kbytes Page：14 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ·75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ·Shortcircuitwithstandtime–10ms ·Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ·NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebe	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SKB10N60A	文件：1.1487 Mbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKB10N60A	文件：438.56 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode ●75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ●Shortcircuitwithstandtime–10μs ●Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ●NPT-Technologyfor600Va	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKP10N60	文件：319.38 Kbytes Page：14 Pages	FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ·75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ·Shortcircuitwithstandtime–10ms ·Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ·NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebe	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKP10N60A	文件：368.81 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKP10N60A	文件：438.56 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode ●75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ●Shortcircuitwithstandtime–10μs ●Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ●NPT-Technologyfor600Va	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
SGP10N60RUFDTU
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，10A
開關(guān)能量：
141μJ（開），215μJ（關(guān)）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
15ns/36ns
測試條件：
300V，10A，20 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 16A TO220-3

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市浩睿澤電子科技有限公司	SGP10N60RUFDTU	onsemi/安森美	新批次	TO-220	4500		詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	SGP10N60RUFDTU	onsemi(安森美)	23+	TO-220	1612	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務	詢價
深圳市億智騰科技有限公司	SGP10N60RUFDTU	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-220-3	3580	原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價	詢價
深圳市昂芯微科技有限公司	SGP10N60RUFDTU	ON	23+	NA	6800	只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市品優(yōu)時代科技有限公司	SGP10N60RUFDTU	onsemi/安森美	22+	原裝封裝	10000	品質(zhì)保證,信譽至上	詢價
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	SGP10N60RUFDTU	ON/安森美	2410+	TO-220	12000	原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.	詢價
深圳市千科宇科技有限公司	SGP10N60RUFDTU	ON/安森美	19+	TO-220	177	正規(guī)渠道原裝正品	詢價
深圳市一線半導體有限公司	SGP10N60RUFDTU		24+		3000	自己現(xiàn)貨	詢價
深圳市星佑電子有限公司	SGP10N60RUFDTU	SMG	05+	原廠原裝	4090	只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	SGP10N60RUFDTU	FAIRCHILD	22+23+	TO220	37309	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價

更多SGP10N60RUFDTU供應商更新時間2024-10-25 16:18:00

產(chǎn)品屬性

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