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SGP10N60RUFD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGP10N60RUFD
廠商型號(hào)

SGP10N60RUFD

參數(shù)屬性

SGP10N60RUFD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 16A TO220-3

功能描述

Short Circuit Rated IGBT

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

597.33 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-28 20:00:00

SGP10N60RUFD規(guī)格書詳情

General Description

Fairchild’s RUFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD series is designed for applications such as motor control, Uninterrupted Power Supplies (UPS) and general inverters where short circuit ruggedness is a required feature.

Features

? 10 A, 600 V, TC = 100°C

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 10 A

? Typical Fall Time. . . . . . . . . .242ns at TJ = 125°C

? High Speed Switching

? High Input Impedance

? Short Circuit Rating

Applications

Motor Control, UPS, General Inverter

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SGP10N60RUFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    141μJ(開),215μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    15ns/36ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,10A,20 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 16A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
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FAIRCHILD/仙童
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原裝正品
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TO-220
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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