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FGL60N170D

ElectricalCharacteristicsofIGBT

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.FGL60N170DisdesignedfortheInductionHeatingapplications. Features ?HighSpeedSwitching ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=5.0V@IC=60A ?HighInputImpedance

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

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更多SGL60N170D供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 16:35:00

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