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SGH15N120RUFD

Short Circuit Rated IGBT

GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinvertersw

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SGP15N120

FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP15N120

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS ?NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeha

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SKW15N120

FASTIGBTINNPT-TECHNOLOGYWITHSOFT,FASTRECOVERYANTI-PARALLELEmConDIODE

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SKW15N120

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode

InfineonInfineon Technologies AG

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TRS15N120HB

SiCSchottkyBarrierDiode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF(PerLeg)=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc(PerLeg)=43nC(typ.) (4)Lowreversecurre

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數

  • 型號：

    SGH15N120RUFD

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-247
272
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
FAIRCHILD/仙童
17+
TO-3P
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
FAIRCHILD/仙童
02+
TO-247
272
深圳原裝進口現貨
 詢價
FAIRCHIL
24+
TO-3P
8866
詢價
仙童
06+
TO-247
900
原裝
 詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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絕對原裝正品全新進口深圳現貨
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絕對原裝進口現貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
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30000
全新原裝現貨,價格優(yōu)勢
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO-3P
10000
公司只做原裝正品
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更多SGH15N120RUFD供應商 更新時間2025-2-18 16:36:00

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