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SGF80N60UF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGF80N60UF
廠商型號

SGF80N60UF

參數(shù)屬性

SGF80N60UF 封裝/外殼為TO-3P-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 80A 110W TO3PF

功能描述

Ultra-Fast IGBT

封裝外殼

TO-3P-3 整包

文件大小

567.62 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-29 23:03:00

SGF80N60UF規(guī)格書詳情

General Description

Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF series provides low conduction and switching losses. UF series is designed for the applications such as motor control and general inverters where High Speed Switching is required.

Features

? High Speed Switching

? Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A

? High Input Impedance

Application

AC & DC Motor controls, General Purpose Inverters, Robotics, Servo Controls

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    SGF80N60UFTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    570μJ(開),590μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    23ns/90ns

  • 測試條件:

    300V,40A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3 整包

  • 供應商器件封裝:

    TO-3PF

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 110W TO3PF

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