SGD04N60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
SGD04N60 |
| 參數(shù)屬性 | SGD04N60 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3 |
| 功能描述 | Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
347.72 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-8 22:50:00 |
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SGD04N60屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SGD04N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
SGD04N60BUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，4A
- 開關(guān)能量：
131μJ
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
22ns/237ns
- 測試條件：
400V，4A，67 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO252-3-11
- 描述：
IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
4A,600V,不帶D |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10010 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-252 |
3339 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
infineon/英飛凌 |
21+ |
SOT-252 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon |
23+ |
SMD |
26459 |
全新原裝現(xiàn)貨,專業(yè)代理熱賣 |
詢價 | ||
INFINEON |
1816+ |
. |
6523 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
VBsemi |
24+ |
TO252 |
18000 |
假一賠百原裝正品價格優(yōu)勢實單可談 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-247 |
15000 |
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
2023+ |
SOT252 |
5800 |
進口原裝,現(xiàn)貨熱賣 |
詢價 |
