訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁(yè)>SGD02N120BUMA1>芯片詳情
SGD02N120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠(chǎng)料號(hào):SGD02N120品牌:INF
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持
SGD02N120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INF/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝SOT252/TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63的SGD02N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
SGD02N120BUMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.6V @ 15V,2A
- 開(kāi)關(guān)能量:
220μJ
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
23ns/260ns
- 測(cè)試條件:
800V,2A,91 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO252-3-11
- 描述:
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市賽能新源半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱樺
- 手機(jī):
13510673492
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
13510673492
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路華康大院2棟518
相近型號(hào)
- SGD02N60BUMA1
- SGCC1.0MM
- SGD02N60XT
- SGCC011100005
- SGD04N60
- SGCC010750017
- SGD04N60BUMA1
- SGCC0.6MM
- SGC8598-50A-R
- SGD04N60S5
- SGC8598-200A-R
- SGC8598-100A-R
- SGD06N60
- SGC8181
- SGC8058L10
- SGD06N60BUMA1
- SGC8058L05
- SGD0750-100M
- SGC8058
- SGC8027
- SGD091N
- SGC8025
- SGD-1.5/120-LY11
- SGD-1.5/120-LY13
- SGC75-330K
- SGD-1.5/120-LY41
- SGC7104A-3/TR
- SGC7103A-3/TR
- SGD-100/AE
- SGC7102A-3/TR
- SGD-100\AE
- SGD-100A
- SGC6489ZSR
- SGD100C02QD
- SGC6489ZSB
- SGD100C02S
- SGD100C03QD
- SGC-6489ZPCK1
- SGC6489ZPCK1
- SGD100C03S
- SGD100N03S
- SGC-6489ZIC
- SGD100N12
- SGC-6489Z
- SGD100N14
- SGC6489Z
- SGD100N16
- SGC-6489
- SGD1011
- SGC-6389ZSR