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SCT12N60P	文件：397.58 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
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SIF12N60C	文件：300.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導(dǎo)體深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司	SISEMIC
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SIHA12N60E	文件：1.03346 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SIHB12N60E	文件：217.1 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SSF12N60F	文件：542.29 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
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STH12N60	文件：704.7 Kbytes Page：10 Pages	fastpowermostransistor DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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更多SCT12N60P供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 10:00:00

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