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S6602

SiC Schottky Barrier Diode Bare Die

Features 1)Lowforwardvoltage 3)Temperatureindependentswitchingbehavior 2)Negligiblerecoverytime/current 4)Highsurgecurrentcapability Applications ?SwitchModePowerSupply ?EVCharger ?UninterruptiblePowerSupply ?AirConditioner ?SolarInverter ?MotorDrive

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

SPC6602

N&PPairEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

STC6602

N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

STC6602

DualN&PChannelEnhancementModeMOSFET

STANSON

Stanson Technology

STT6602

N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

STT6602

N-Ch:3.3A,30V,RDS(ON)65mP-Ch:-2.3A,-30V,RDS(ON)120mN&P-ChannelEnhancementModeMos.FET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

TPC6602

High-SpeedSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPC6602

TOSHIBATRANSISTORSILICONPNPEPITAXIALTYPE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPC6602

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPS6602X

TPS6602xIntegratedSourceandSinkPowerMultiplexerwithVBUSLDORegulator

TI1Texas Instruments

德州儀器

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ULINE
兩年內(nèi)
NA
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實(shí)單價(jià)格可談
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SMD-8
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原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
更多S6602供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 13:49:00