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S34MS04G204BHI010_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-CYP

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原廠料號(hào)：S34MS04G204BHI010品牌：Cypress Semiconductor Corp

資料說(shuō)明：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

S34MS04G204BHI010是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商CYP/Cypress Semiconductor Corp生產(chǎn)封裝63-VFBGA的S34MS04G204BHI010存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào)：

    s34ms04g204bhi010

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    CYP詳情

  • 廠商全稱：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 資料說(shuō)明：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    S34MS04G204BHI010

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    MS-2

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Gb（256M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    45ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-BGA（11x9）

  • 描述：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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