RN2130MFV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
RN2130MFV |
參數(shù)屬性 | RN2130MFV 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
功能描述 | Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications |
封裝外殼 | SOT-723 |
文件大小 |
160.38 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-1 20:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
RN2130MFV,L3F
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 10mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 500μA,5mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-723
- 供應(yīng)商器件封裝:
VESM
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
NA/ |
48000 |
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TOS |
22+23+ |
SOT523 |
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詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
SOT-523 |
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TOSHIBA/東芝 |
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TOSHIBA/東芝 |
22+ |
SMD |
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TOSHIBA/東芝 |
2021+ |
SOT523 |
100500 |
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Toshiba |
2022+ |
原廠原包裝 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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原裝 |
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