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RN2130MFV,L3F_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：RN2130MFV,L3F品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

RN2130MFV,L3F是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SOT-723的RN2130MFV,L3F晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    rn2130mfv,l3f

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RN2130MFV,L3F

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Toshiba Semiconductor and Stor
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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