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RN2108ACT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN2108ACT
廠商型號

RN2108ACT

參數(shù)屬性

RN2108ACT 封裝/外殼為SC-101,SOT-883;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

文件大小

150.69 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-1 17:08:00

RN2108ACT規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

? Extra small package (CST3) is applicable for extra high density

fabrication.

? Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

? Reducing the parts count enable the manufacture of ever more

compact equipment and save assembly cost.

? Complementary to RN1107ACT to RN1109ACT

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RN2108ACT(TPL3)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-101,SOT-883

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CST3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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