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RM9926	文件：207.86 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures VDS=20V,ID=6A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SDM9926	文件：984.02 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SDM9926	文件：571.14 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FETURES ●SurfaceMountPackage. ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDM9926A	文件：351.47 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SurfaceMountPackage. ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SE9926	文件：567.04 Kbytes Page：9 Pages	ThyristorSurgeSuppressors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
SFS9926	文件：1.043619 Mbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
SFS9926	文件：1.05709 Mbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SFS9926	文件：985.61 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SI9926	文件：393.58 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
SI9926ADY	文件：37.12 Kbytes Page：4 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926BDY	文件：499.88 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
SI9926BDY	文件：251.13 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926BDY	文件：182.97 Kbytes Page：3 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectrical characteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuit modelisextractedandoptimizedoverthe?55to125°C temperaturerangesunderthepulsed0to5Vgatedrive.The saturatedoutputimpedanceisbest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926BDY	文件：109.92 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETS ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926BDY-HF	文件：525.24 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
SI9926CD	文件：258.38 Kbytes Page：10 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
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SI9926CDY	文件：1.33306 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SI9926CDY	文件：200.99 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100UIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?DC/DCconverter? -Gamemachine? -PC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI9926DY	文件：85.4 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-Channel2.5VspecifiedMOSFETsuseFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–10V). Features ?6.5A,20V.RDS(ON)=0.030?@VGS=4.5VRDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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更多RM9926供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 11:06:00

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