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RM50P30D3中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM50P30D3
廠商型號

RM50P30D3

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

50P30

封裝外殼

DFN3X3

文件大小

264.59 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-6 11:45:00

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RM50P30D3規(guī)格書詳情

General Features

VDS =-30V,ID =-50A

RDS(ON) <8.7mΩ @VGS =-10V

RDS(ON) <13.5mΩ @VGS =-4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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