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RLTPGB20N60CT	文件：674.68 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS ?Generalpurposeinverters ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?Saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.85VIC=20AandTC=25°C	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
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SD20N60	文件：1.1053 Mbytes Page：17 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SD20N60	文件：1.9811 Mbytes Page：17 Pages	600VCoolMOSE6PowerTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffereddevi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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