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RJQ6008DPM-00T0

600V - 10A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=2.65Vtyp.(IC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多RJQ6008DPM-00T0供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 15:30:00

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