RJP63K2中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
RJP63K2規(guī)格書詳情
1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ
3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.
4. Low leak current: ICES= 1 ?A max
5. Isolated package TO-220FL
產(chǎn)品屬性
- 型號:
RJP63K2
- 制造商:
RENESAS
- 制造商全稱:
Renesas Technology Corp
- 功能描述:
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
TO-220 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
TO-247 |
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RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO220 |
26560 |
原裝正品 |
詢價 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
90000 |
一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價格合理 |
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RENESAS |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
RENESAS |
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RENESAS/瑞薩 |
23+ |
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瑞薩 |
2048+ |
TO-220F |
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RENESAS |
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TO-263 |
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RENESAS |
18+ |
TO-220F |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價 |