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RJP60V0DPM

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

Features ●Highbreakdown-voltage ●LowCollectortoEmittersaturationVoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Shortcircuitwithstandtime(6?styp.) ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6Hseries)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJP60V0DPM-80

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

600V-22A-IGBTApplication:Inverter Features ?Highbreakdown-voltage ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Shortcircuitwithstandtime(6?styp.) ?Trenchgateandthinwafertechnology(G6

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RJP60V0DPM-80T2

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

600V-22A-IGBTApplication:Inverter Features ?Highbreakdown-voltage ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Shortcircuitwithstandtime(6?styp.) ?Trenchgateandthinwafertechnology(G6

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RJP60V0DPM_15

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

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RJP60V0DPM-80

IGBTs;

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RJP60V0DPM-80_15

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

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RJP60V0DPM-00#T1

Package:TO-220-3 整包;包裝:管件 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM

ETC

ETC

技術參數

  • 封裝類型:

    TO-3PF

  • 通道數:

    Single

  • 逆變器:

    YES

  • PFC:

    YES

  • VCES (V):

    600

  • Ic (峰值) (A):

    90

  • IC (A) @25 °C:

    45

  • IC (A) @100 °C:

    22

  • VCE (sat)(V):

    1.5

  • tf (μs) 典型值:

    0.07

  • tsc (μs):

    6

  • Pch (W):

    60

  • 應用:

    Inverter

  • 安裝類型:

    Through Hole

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS/瑞薩
22+
TO-3P
6000
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更多RJP60V0DPM供應商 更新時間2025-7-30 14:02:00