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RJP60F4DPM-00#T1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Renesas Electronics America Inc

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原廠料號(hào)：RJP60F4DPM-00#T1品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說(shuō)明：IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

RJP60F4DPM-00#T1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝TO-220-3 整包的RJP60F4DPM-00#T1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    rjp60f4dpm-00%23t1

  • 規(guī)格書(shū)：

    原廠下載 下載

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RJP60F4DPM-00#T1

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.82V @ 15V，30A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    45ns/70ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PFM

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

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