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RJP30H1DPD中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJP30H1DPD
廠商型號

RJP30H1DPD

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

157.56 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-29 23:03:00

RJP30H1DPD規(guī)格書詳情

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

* High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.

* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

* Low leak current: ICES= 1 ?A max.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJP30H1DPD

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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