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RJK2017DPE-00-J3中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RJK2017DPE-00-J3
廠商型號(hào)

RJK2017DPE-00-J3

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

114.4 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-20 13:21:00

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RJK2017DPE-00-J3規(guī)格書詳情

Features

? Low on-resistance RDS(on) = 0.036 Ω typ. (at ID = 22.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C)

? Low leakage current

? High speed switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RJK2017DPE-00-J3

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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