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RJH60F4DPK-00-T0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJH60F4DPK-00-T0
廠商型號

RJH60F4DPK-00-T0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

221.83 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 10:16:00

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RJH60F4DPK-00-T0規(guī)格書詳情

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features

Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.4 V typ. (at IC= 30 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)

Built in fast recovery diode in one package

Trench gate and thin wafer technology

High speed switching

tf= 80 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJH60F4DPK-00-T0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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10000
公司只做原裝正品
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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6000
十年配單,只做原裝
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絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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1923+
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原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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全新原裝 貨期兩周
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