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RJH3347中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJH3347
廠商型號

RJH3347

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

158.32 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-15 22:59:00

RJH3347規(guī)格書詳情

Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

● Low leak current: ICES = 1 μA max.

● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.

● Isolated package: TO-220FL

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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